معرفی

• فرم فاکتور: M.2 Type 2280-S2-M
• رابط اتصال: PCLe NVMe
• حداکثر سرعت خواندن ترتیبی: 1,700MB/s 
• حداکثر سرعت نوشتن ترتیبی: برای حافظه 250 گیگ= 1200MB/s و برای حافظه 500 گیگ و 1000 گیگ= 1600MB/s
• نوع حافظه فلش: 3D BiCS TLC
• دارای قابلیت پشتیبانی از TRIM
• حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک: 1500G
• پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
• مقاوم در برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ ثانیه
• حداکثر سرعت خواندن رندوم: برای حافظه 250 گیگ= 200,000IOPS و برای حافظه 500 گیگ و 1000 گیگ= 350,000IOPS
• حداکثر سرعت نوشتن رندوم: برای حافظه 250 گیگ= 290,000IOPS و برای حافظه 500 گیگ و 1000 گیگ= 400,000IOPS